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            研究人員創建的非易失性存儲器的速度與DRAM一樣快

            英國蘭開斯特大學的研究人員已經成功地創建了一種非易失性閃存,其速度與DRAM一樣快,但僅消耗了現代NAND或DRAM存儲器寫入位所需的能量的1%。數據的。據《電子周刊》報道,該存儲器稱為UK III-V存儲器。

            對于在20nm光刻工藝上構建的柵極,所需的功率消耗約為-17焦耳的功率的10倍。UK III-V存儲器的晶體管將處于典型的關斷狀態,對柵極充電將花費約5ns的電量,而耗盡則消耗3ns的電量,這兩個都是非??捎^的數字。一旦通過控制器將這些數字添加到產品中,這些數字可能會略高一些,但這對于獲得效率來說是一個值得權衡的選擇。

            單晶體管的開發仍處于發展階段,因此將其轉換為成熟的商用產品還有很長的路要走。然而,構建具有如此高的效率和速度以與DRAM競爭的非易失性存儲器的成就是相當可觀的。“該通道利用了In(Ga)As和GaSb的[III型]波段異常排列,其中InAs的導帶低于GaSb的價帶,”首席研究人員Manus Hayne教授告訴《電子周刊》。

            “這意味著即使在沒有摻雜電子的情況下,電子也將從GaSb的整個價帶流到InAs通道的導帶。以前是這種情況,但是在這里我們使In(Ga)As通道變窄,因此限制將通道狀態的能量推至正好在GaSb價帶之上,因此除非施加適當的電壓,否則它不會被占用且處于常態關閉狀態,這將使讀數類似于閃光燈,并應提供出色的讀數1 -0與我們以前的設備形成鮮明對比,允許它們以完全可尋址的陣列連接。”

            擁有與DRAM一樣快的非易失性存儲器很有趣,因為它可以用于構建PC,這些PC可以在系統完全關閉時維護我們當前在RAM中保留的數據,因此可以從您上次中斷的位置立即恢復從全面狀態開始。這將消除對睡眠狀態的需求,并且還允許系統在空閑時關閉RAM的電源,從而進一步降低功耗。

            想到的問題是UK III-V存儲器是否能夠處理通常反復發生的對DRAM的重寫。如果磨損是一個問題,那可能會破壞使用非易失性RAM的計算機的任何夢想。

            鄭重聲明:本文版權歸原作者所有,轉載文章僅為傳播更多信息之目的,如作者信息標記有誤,請第一時間聯系我們修改或刪除,多謝。
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